1.GDT(陶瓷放電管)

GDT有單極和三極兩種方式。三極GDT是一個看似簡單的器件，能在大難臨頭的關(guān)鍵時辰堅(jiān)持一個差分線對的均衡：少許的不對稱能夠使瞬變脈沖優(yōu)先耦合到均衡饋線的某一側(cè)，因此產(chǎn)生一個宏大的差分信號。即便瞬變事情對稱地發(fā)作在均衡饋線上，兩個維護(hù)器件響應(yīng)特性的微小差異也會使一個毀壞性的脈沖振幅呈現(xiàn)在系統(tǒng)的輸入端上。三極GDT在一個具有共用容積的管內(nèi)提供一個差分器件和兩個并聯(lián)器件。形成一對電極導(dǎo)通的任何條件都會使一切三個電極之間導(dǎo)通，由于的狀態(tài)(絕緣狀態(tài)、電離狀態(tài)或等離子狀態(tài))決議了放電管的行為。

在正常的工作條件下，一只GDT的并聯(lián)阻抗約為1TΩ ，并聯(lián)電容為1pF以下。當(dāng)施加在GDT兩端的電勢低于電離電壓(即“輝光"電壓)時，GDT的小漏電流(典型值小于1 pA)和小電容簡直不發(fā)作變化。一旦GDT到達(dá)輝光電壓，其并聯(lián)阻抗將急劇降落，從而電流流過。不時增加的電流使大量構(gòu)成等離子體，等離子體又使該器件上的電壓進(jìn)一步降低至15V左右。當(dāng)瞬變源不再繼續(xù)提供等離子電流時，等離子體就自動消逝。GDT的凈效果是一種消弧作用，它能在1ms內(nèi)將瞬變事情期間的電壓限制在大約15V以下。GDT的一個主要優(yōu)點(diǎn)是迫使大局部能量耗費(fèi)在瞬變的源阻抗中，而不是耗費(fèi)在維護(hù)器件或被維護(hù)的電路中。GDT的觸發(fā)電壓由信號電壓的上升速率(dV/dt)、GDT的電極距離、類型以及壓力共同肯定。該器件能夠接受高達(dá)20 kA的電流。

2.MOV(壓敏電阻)

它是一種是隨電壓而變化的非線性電阻器。燒結(jié)的金屬氧化物構(gòu)成一種猶如兩個背對背串接的齊納二極管的構(gòu)造。在正常工作狀況下，MOV的典型漏電流為10 mA量級，并聯(lián)電容約為45 pF。電壓升高到超越MOV閾值，就會使其中一個散布式齊納二極管產(chǎn)生雪崩，因此使該器件對被維護(hù)的節(jié)點(diǎn)停止箝位。不時增加的電流最終使器件兩端的電壓上升——這是大多數(shù)批量資料都有的一個限制要素。

作為一種箝位器件，MOV能大量吸收瞬變能量，而放電管則將瞬變能量耗散在瞬變源阻抗以及瞬變源與被維護(hù)節(jié)點(diǎn)之間的電阻中。在允許MOV的漏電和并聯(lián)電容的應(yīng)用場所(如電源、POTS和工業(yè)傳感器)，MOV可配合GDT，對閃電惹起的瞬變停止良好的二次防護(hù)，由于MOV的觸發(fā)速度要比等離子體避雷器快一個數(shù)量級。重復(fù)呈現(xiàn)的過熱應(yīng)力的累積會使MOV過熱，降低其性能。因而，務(wù)必認(rèn)真剖析你打算支持的瞬變，肯定你請求MOV吸收的總能量和最壞狀況下的瞬變反復(fù)率，激進(jìn)地制定器件的規(guī)格。

3.TVS(瞬變電壓制制器)

一個TVS的并聯(lián)電容通常只要幾十皮法，但有些新的TVS的并聯(lián)電容增加了不到10 pF。電壓的TVS，其漏電流常常為100mA以上，而工作電壓為12V以上的TVS，其漏電流則為5mA以下。當(dāng)前TVS的開展趨向是進(jìn)步集成度，支持高密度便攜設(shè)備。在芯片尺寸封裝中包含多個器件，使節(jié)點(diǎn)間隙更好地匹配被維護(hù)的IC或接口銜接器。集成的TVS與EMI濾波器可在一個封裝內(nèi)完成兩個關(guān)鍵任務(wù)，并可簡化經(jīng)過I/O口布放總線的工作。多個TVS封裝因其小巧而成為高密度組件中最常見的維護(hù)器件。